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MOS管开通过程中米勒平台的问题--探讨MOS管漏源电压下降的原因

来源:????作者:????发布时间:2019-03-09 08:17:43????浏览量:

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图1 为N沟道mos管的结构,以N沟道MOS为例进行分析.

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图2 为一个具体的电路

条件L为一个菲律宾亚游集团|官网负载,VD0为续流二极管。

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图3 为电路中信号的波形图

为便于理解,将书中对导通过程进行描述:

阶段一(t0-t1) 在该阶段之前,MOS管处于关断状态,栅源电压为0,续流二极管VD0导通。在t0时刻,驱动电压VGG变正,栅极电容C_GD被充电,栅极电压逐渐上升。到t1时刻,栅源电压超过阈值电压( V_GS(th) ),在此期间MOS管并未导通。

阶段二(t1-t2) 在t1时刻,栅源电压V_GS开始超过阈值电压( V_GS(th) ),MOS管开始导通,驱动源对栅源电容继续充电,栅源电压V_GS的继续上升,漏极电流i_D受转移特性的制约而与栅压成比例地上升,直到t2时刻。在此期间由于外电路条件(菲律宾亚游集团|官网负载)使漏源电压V_DS变化不大,因此驱动电流仍主要流向栅源电容C_GS。

阶段三(t2-t3) 漏源电压自t2时刻起开始下降,续流二极管VD0截止,MOS管进入放大区,由于MOS管处于有源区(放大区,或者也叫饱和区),而漏极电流又已达到稳态,由转移特性决定了栅源电压几乎不能变化,反应在图3中为 平台 部分曲线。所以在此期间驱动电流几乎全部流向漏栅电容C_GD,而栅源电容不吸收电荷。直到t3时刻,漏源电压V_DS=Io*R_DS(on) ,器件进入可调电阻区,该阶段结束。

阶段四(t3-t4) 在t3时刻,MOS管进入可调电阻区,这时MOS管不再受转移特性的限制,栅源电压继续线性上升,直到达到驱动电压值V_GG。但在此阶段因栅漏电容C_GD因为器件导通而增大了,器件等效输入电容增大了,故栅源电压上升速度变慢。

搜狗截图16年05月27日2205_1

图4 为 MOS管的转移特性曲线。 图中彩色线,对应图3中的时刻,表示MOS管开通过程中的电流移动方向。(这是自己画的,不知道对应的时刻对不对)

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问题:

1、在图3中,t2时刻开始漏源电压V_DS为什么会开始下降?从图4推断,并不是MOS管导通了,它的漏源电压就需要下降,按道理,MOS管的漏源电压能在(t1-t2)时刻保持稳定,那么t3时刻,V_DS为什么会开始下降?问这个问题没有别的意思,只是对于漏源电压下降,没有找到原因。

2、不知道自己绘制的图4,对不对,希望大神能交流一下。

感谢 @水蜘蛛 ,读了你的这个帖子,自己受益良多。

抢个沙发,电压下降,内部结构决定的吧 漏极电流从t1时刻开始增加,一直增加到t2时刻,这个过程中某个寄生电容参数发生了改动,才导致MOS管漏源电压开始下降。自己没有找到,这个改变的寄生电容 已经被添加到社区经典图库喽
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Vds 怎可能不下降?

Vgg 令管子开通,Cgd 经 D→S 充电,这是一个 电压并联负反馈(Cgd 反馈)拓扑的开通过程。

在图3波形中讨论。从t1时刻到t2时刻,漏极电流ID从零增加到额定值。可不可以这样认为,t1-t2这个时间段内MOS管是一个从开始导通,到完全导通的过程,这一过程中Vds一直没变。自己不明白的是,t1-t2这个时间段MOS管已经导通了,Vds为什么却从t2时刻开始,逐渐下降?为什么不在t1-t2这个过程中下降呢,t2时刻MOS管完全导通后,管子内的导通电路发生了什么变化? 上个头条,大家一起讨论呗

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开关电源中TL431反馈原理求助




图一






图2






图3


一直对开关电源的反馈工作原理感到不解,图1是常用的开关电源反馈原理图,图2是把tl431画成运放和电压基

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