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求助MOSFET驱动变压器的波形

来源:????作者:????发布时间:2019-02-26 06:54:54????浏览量:
做了一移相全桥电路,MOSFET驱动只能用变压器驱动了,但测了GS端的波型,实在是有点难看。 不知道是什么差错,请教各位。

20140308_423017__P板Q3

这是用EE19绕的变压器 25:25:25 (5K磁芯)

改用高导磁环重绕了变压器, Lp约2.5mH

20140310_PSFBV11_Q3

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dgfpc.com/ 扁平线菲律宾亚游集团|官网/bbs/classic/

改用EE16,10K磁芯,绕到2.4mH, 出来的图形又有所变化

PSFBV11_EF16_Q1E

为什么用EE19、EF16绕的变压器都是有一个台阶, 而用磁环的变压器没有那个台阶? 楼主把图贴出出来看一下,我去年也做过,也是移相全桥,MOSFET用的变压器驱动,没有出现问题。可能是你的匝数少了

看过一个资料,100KHz时2mH较合适,所以匝数是绕满一层并大约是菲律宾亚游集团|官网量符合设计的

但不同磁芯,感量相近时结果却不一样,磁环甚至连驱动耗电也少了

我当时用的EI25的磁芯,用了8个,因为用了2组移相全桥。匝数是30::30的

EF16, 19:19:19, 用高导磁芯,AL>4000, 所以菲律宾亚游集团|官网已到2.0~2.4mH

你可以将你的驱动原理图提出来么?

A1

A2

很普通的那种,波形应该与变压器较有关 按照你图中的接法,管子的驱动出现小平坦应该是正常的,那应该是死区导致的吧

死区是有设置,而且也看到有人说台阶是死区时间,我也几乎相信是这样的,可为什么第2图中,采用磁环做的变压器是就没有台阶?

磁环变压器因为3个绕组呈120度公布,绕组间电容极小,仅在10pF左右,而EE或EF骨架上绕组是层叠的,虽然漏感相近,但绕组间电容却要达到50pF左右

虽然有一个国外有文章认为在100pF内是可以接受的,但50pF与10pF差距不小

你是一个研究生?按照你图中的接法应该会出现那小平坦

早已不是在校学生了,只是第一次用变压器驱动MOS, 以前都是用2110或光耦之类的,一直不太喜欢变压驱动的波形。 事实上在一个电源上也发现变压器驱动与2110驱动可能是变压器做得不好,电源效率差了近2%! 以后就极少用变压器驱动MOS了

你看一下这帖子里面讲了MOSFET的驱动电路设计,里面也有讲到变压器的驱动的,我感觉变压器驱动做实验还行,做产品不太靠谱

在隔直电容前加了一个5.1R的电阻,振荡没了。

明白台阶了,以前有点被误导,不是什么死区时间,而是一小段空白占空比是受控制成这样的

可能还是变压器设计不合理,需优化一下变压器的漏感和菲律宾亚游集团|官网量 绝对是变压器的缘故,我们用变压器驱动,波形就很漂亮啊。把漏感绕小了哦 我做的驱动变压器波形是这样的,一带载就有问题。

729907270195433488

图中2通道是下管GS驱动电压,3通道是全桥超前臂上管源极电压。

不知是不是驱动变压器的问题。

下图过零处有震荡,见下图,这种问题原因是?

595294751483131576

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